面発光型半導体レーザー、面発光型半導体レーザーアレイ及び画像形成装置
文献类型:专利
作者 | 安達 一彦 |
发表日期 | 2009-11-26 |
专利号 | JP2009277780A |
著作权人 | 株式会社リコー |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 面発光型半導体レーザー、面発光型半導体レーザーアレイ及び画像形成装置 |
英文摘要 | 【課題】安定した偏光方向を有する面発光型半導体レーザーを提供する。 【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、半導体材料により構成される活性層と、形成された半導体膜の一部の領域を酸化することにより電流狭窄構造が形成される選択酸化層と、上部反射鏡と、半導体基板には下部電極が、上部反射鏡には上部電極が形成されており、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、半導体基板上における少なくとも活性層と選択酸化層と上部反射鏡においてメサ構造が形成されており、メサ構造の平面形状の回転対称性は1回対称のみであることを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 【選択図】図2 |
公开日期 | 2009-11-26 |
申请日期 | 2008-05-13 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61506] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社リコー |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 安達 一彦. 面発光型半導体レーザー、面発光型半導体レーザーアレイ及び画像形成装置. JP2009277780A. 2009-11-26. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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