半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
文献类型：专利
| 作者 | 太田 誠; 横山 弘之; 倉本 大; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 2010-07-08 |
| 专利号 | JP2010153429A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ |
| 英文摘要 | 【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。 【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有する半導体レーザにおいて、リッジストライプ11の両側面およびリッジストライプ11の両側の底面に延在して電流狭窄用絶縁膜14を設ける。電流狭窄用絶縁膜14のうちの両共振器端面の近傍の部分以外の部分に、リッジストライプ11の部分のレーザ構造の等価屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率絶縁体を含ませる。例えば、リッジストライプ11の両側の底面に高屈折率絶縁膜14aを形成する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-07-08 |
| 申请日期 | 2008-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61543]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 太田 誠,横山 弘之,倉本 大,等. 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ. JP2010153429A. 2010-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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