面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置
文献类型：专利
| 作者 | 原 敬; 上西 盛聖 |
| 发表日期 | 2010-02-12 |
| 专利号 | JP2010034506A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
| 英文摘要 | 【課題】偏光方向が安定した面発光型半導体レーザーを提供する。 【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、活性層と、選択酸化層と、上部反射鏡と、活性層と選択酸化層と上部反射鏡においてメサ構造が形成されており、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、半導体基板は、(100)面を傾斜させた面を表面とするものであって、活性層は、基板に対し圧縮歪みを有する量子井戸層と、スペーサ層により構成されており、スペーサ層は、半導体基板に対し引張歪みを有することを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2010-02-12 |
| 申请日期 | 2009-04-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61559]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 原 敬,上西 盛聖. 面発光型半導体レーザー、面発光型レーザーアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置. JP2010034506A. 2010-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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