窒化物系半導体レーザ素子および光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 亀山 真吾 |
| 发表日期 | 2010-07-08 |
| 专利号 | JP2010153810A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ素子および光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ素子の信頼性を向上させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子100では、窒化物系半導体からなる半導体 素子層2の光反射側端面2b上に、光反射側端面2b側から順に形成された第2変質防止 層61、界面層62、第2反射率制御層63からなる第2端面コート膜6が形成されてお り、第2変質防止層61を構成する第1層61a〜第4層61dの膜厚は、それぞれ、第 2反射率制御層63を構成する低屈折率層63aの膜厚より小さいとともに高屈折率層6 3bの膜厚より小さい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-07-08 |
| 申请日期 | 2009-11-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61592]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 亀山 真吾. 窒化物系半導体レーザ素子および光ピックアップ装置. JP2010153810A. 2010-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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