窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三宅 泰人; 久納 康光; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2010-09-16 |
| 专利号 | JP2010206184A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ピエゾ電場に起因する悪影響を抑制し、欠陥集中領域に起因する電気抵抗の増加を抑制した窒化物系半導体素子を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体素子は、窒化物系半導体からなる基板10と、基板10上に形成される窒化物系半導体からなる半導体素子層20と、基板10の半導体素子層20とは反対側の面に形成されるn側電極45からなり、基板10は、非極性面からなる上面15と、上面15の側端部側に形成される凹部60、61と、上面15の反対側の面である下面16と、上面15の法線方向に対して傾いた方向に延びるとともに、凹部60から下面16へ貫通する欠陥集中領域12と、半導体素子層20が形成された上面15と下面16を含み、欠陥集中領域12を境界として非電流通路領域71と分離されている電流通路領域70とを備え、n側電極45は、電流通路領域70における下面16上に形成されることを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-09-16 |
| 申请日期 | 2010-01-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61603]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 泰人,久納 康光,畑 雅幸. 窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法. JP2010206184A. 2010-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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