半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 川崎 良一; 野一色 慶夫 |
| 发表日期 | 2011-10-27 |
| 专利号 | JP2011216583A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】従来の半導体レーザー装置では、キャップの開口部を塞ぐガラス板に反射防止膜が形成されるため、材料コストや製造コストが嵩むという問題があった。 【解決手段】本発明の半導体レーザー装置1では、LD10が固着された側のステム2上にはキャップ3が配置される。キャップ3には、レーザー光の透過領域に開口部4が形成され、開口部4を塞ぐように、カバーガラス5が配置される。そして、カバーガラス5には反射防止膜が形成されず、カバーガラス5は、開口部4近傍に配置された突起部11、12と当接し、キャップ4の内側面に対して傾いて配置される。この構造により、LD10から出射されるレーザー光の戻り光対策に合わせて、非点隔差Asに起因する非点収差が低減される半導体レーザー装置1が実現される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-10-27 |
| 申请日期 | 2010-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61621]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川崎 良一,野一色 慶夫. 半導体レーザー装置及びそれを用いた光ピックアップ装置. JP2011216583A. 2011-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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