窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに光ディスク装置、および画像表示装置
文献类型：专利
| 作者 | 川口 佳伸; 神川 剛 |
| 发表日期 | 2011-11-10 |
| 专利号 | JP2011228350A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに光ディスク装置、および画像表示装置 |
| 英文摘要 | 【課題】分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子において、自励発振に関わる特性と、通常の半導体レーザとしての特性との両立にある。 【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に少なくともn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とn側電極とリッジストライプを有する共振器とを含む窒化物半導体レーザ素子であって、該共振器の長手方向に並列する第1のリッジストライプと、該第1のリッジストライプ上に形成された第1のp側電極と、該第1のp側電極よりも高さの低い位置に形成された第2のp側電極とを有し、第1のp側電極と第2のp側電極とは、互いに電気的に分離されることを特徴とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-11-10 |
| 申请日期 | 2010-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61626]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川口 佳伸,神川 剛. 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに光ディスク装置、および画像表示装置. JP2011228350A. 2011-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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