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半導体レーザ装置および光装置

文献类型:专利

作者林 伸彦; 畑 雅幸
发表日期2011-12-01
专利号JP2011243600A
著作权人SANYO ELECTRIC CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置および光装置
英文摘要【課題】半導体レーザ素子が発する熱を十分に放熱することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100は、青紫色半導体レーザ素子20と、ベース部10と、ベース部10の前面10cに取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子20が載置される前端領域11bと、前端領域11bと一体的に形成され、ベース部10の側面10fより外側に延びる放熱部11dとを備える。そして、放熱部11dと前端領域11bとは、ベース部10の前面10c側から後面10d側に延びる接続部11cによって接続されており、放熱部11dと接続部11cとの接続領域となる後端領域11hは、ベース部10の後面10d側(A2側)に配置されている。 【選択図】図3
公开日期2011-12-01
申请日期2010-05-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61635]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
林 伸彦,畑 雅幸. 半導体レーザ装置および光装置. JP2011243600A. 2011-12-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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