面発光レーザ素子の製造方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置
文献类型：专利
| 作者 | 林 昌弘; 日野 威; 牧田 憲吾; 安福 秀幸 |
| 发表日期 | 2012-01-19 |
| 专利号 | JP2012015364A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ素子の製造方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置 |
| 英文摘要 | 【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】基板上に、下部半導体DBR、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体DBRを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体DBR、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体DBRの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にGaのイオン注入を行なうGaイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 【選択図】図9 |
| 公开日期 | 2012-01-19 |
| 申请日期 | 2010-07-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61644]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林 昌弘,日野 威,牧田 憲吾,等. 面発光レーザ素子の製造方法、面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光走査装置及び画像形成装置. JP2012015364A. 2012-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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