レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、III族窒化物半導体自立基板の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 砂川 晴夫; 碓井 彰 |
| 发表日期 | 2011-08-04 |
| 专利号 | JP2011151400A |
| 著作权人 | FURUKAWA CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、III族窒化物半導体自立基板の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ照射によりIII族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、III族窒化物半導体膜の破損を抑制する。 【解決手段】サファイア基板11と、サファイア基板11上に設けられているGaN膜12と、を含むサファイア/GaN構造体Wから、レーザ照射によりGaN膜12を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア/GaN構造体Wを、GaN膜12が下方または側方に向いた状態で、GaN膜12表面に接触することなく保持する基板保持台14と、サファイア/GaN構造体Wに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2011-08-04 |
| 申请日期 | 2011-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61686]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 砂川 晴夫,碓井 彰. レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、III族窒化物半導体自立基板の製造方法. JP2011151400A. 2011-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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