半導体レーザ素子および光装置
文献类型：专利
| 作者 | 長尾 泰志 |
| 发表日期 | 2012-12-20 |
| 专利号 | JP2012253205A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子100(半導体レーザ素子)は、略平坦な表面10bと、表面10bの反対側に形成された表面10aと、表面10bと表面10aとの間に形成された活性層12とを含む半導体レーザ素子部10と、半導体レーザ素子部10の略平坦な表面10b上に形成されたn側電極30とを備える。そして、n側電極30は、表面10bと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面30bと、下面30bの反対側に形成された上面30aと、上面30aに形成されるとともに下面30bに向かって窪む凹部35とを含む。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2012-12-20 |
| 申请日期 | 2011-06-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長尾 泰志. 半導体レーザ素子および光装置. JP2012253205A. 2012-12-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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