半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス
文献类型：专利
| 作者 | 川上 俊之; 神川 剛 |
| 发表日期 | 2014-02-03 |
| 专利号 | JP2014022379A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス |
| 英文摘要 | 【課題】気密性の低いパッケージを採用した場合であっても、レーザ光の出射側の端面が汚染されてレーザ特性が低下することを防止できる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ素子10は基板101上に形成したn型クラッド層103、活性層105及びp型クラッド層108を含む複数の半導体層と、p側電極112及びn側電極113と、ストライプ状導波路であるリッジ部110と、半導体層の端部に形成された半導体層の積層方向と平行をなす光の出射側の端面130A及び反射側の端面130Hと、それら2箇所の端面130A、130H各々に設けた誘電体からなる第一端面コート120、121と、出射側の端面130Aの第一端面コート120上に設けられるとともにp側電極112及びn側電極113の双方に電気的に接続された導電性を有する第二端面コート122と、を備える。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2014-02-03 |
| 申请日期 | 2012-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61782]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川上 俊之,神川 剛. 半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス. JP2014022379A. 2014-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。