面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、
文献类型：专利
| 作者 | 泉谷 一磨; 日野 威; 鳴海 慎也 |
| 发表日期 | 2014-06-05 |
| 专利号 | JP2014103233A |
| 著作权人 | RICOH CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子の静電破壊を防止できる面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】 面発光レーザ素子100は、基板101と、該基板101上に積層された下部半導体DBR103と、該下部半導体DBR103上に積層された活性層105と、酸化領域108a及び該酸化領域に囲まれた非酸化領域108bを有する選択酸化層108と、該選択酸化層108の直上に形成され、酸化領域108a及び非酸化領域108bの直上に高ドープ領域を有するドーピング層120とを含み、活性層105上に積層された上部半導体DBR107と、を備えている。 【選択図】図4 |
| 公开日期 | 2014-06-05 |
| 申请日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 泉谷 一磨,日野 威,鳴海 慎也. 面発光レーザ素子、光走査装置、画像形成装置、及び面発光レーザ素子の製造方法、. JP2014103233A. 2014-06-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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