半導体ウエハー、半導体発光装置、光伝送装置、情報処理装置および半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 朱実; 近藤 崇; 松下 和征; 小澤 秀明; 武田 一隆; 中山 秀生 |
| 发表日期 | 2014-06-26 |
| 专利号 | JP2014116417A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体ウエハー、半導体発光装置、光伝送装置、情報処理装置および半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】面発光型半導体レーザの製造歩留まりを改善することが可能な半導体ウエハーを提供する。 【解決手段】複数の面発光型半導体レーザ素子が形成されたウエハー100には、複数の素子形成領域10が形成され、素子形成領域10内には、VCSEL20とこれを駆動するための電極パッド50が形成されている。VSCEL20の周囲には、層間絶縁膜の表面を疎水化した環状の疎水化領域30と、その外側に環状の溝40とが形成される。そして、VCSEL20を被覆するように、素子形成領域10内に樹脂70がポッティングされる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2014-06-26 |
| 申请日期 | 2012-12-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61811]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 朱実,近藤 崇,松下 和征,等. 半導体ウエハー、半導体発光装置、光伝送装置、情報処理装置および半導体発光素子の製造方法. JP2014116417A. 2014-06-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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