光記憶装置
文献类型：专利
| 作者 | 硴塚 孝明; 武田 浩司; 佐藤 具就; 長谷部 浩一; 松尾 慎治 |
| 发表日期 | 2015-01-29 |
| 专利号 | JP2015018589A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光記憶装置 |
| 英文摘要 | 【課題】小型かつ低消費電力動作が可能な光メモリの実現を課題とする。 【解決手段】本発明は、線欠陥導波路が形成されたフォトニック結晶共振器であって、前記線欠陥導波路中に、活性層領域と、前記活性層と同一組成からなる可飽和吸収領域と、前記活性層領域と前記可飽和吸収領域とを電気的に分離する分離層とが形成された、フォトニック結晶共振器により構成され、前記フォトニック結晶共振器の共振器波長は、前記半導体スラブ構造及び前記分離層のバンドギャップ波長に対して長波長に設定され、前記分離層のバンドギャップ波長は、前記活性層領域と前記可飽和吸収領域のバンドギャップ波長よりも短波長に設定されることを特徴とする光記憶装置である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2015-01-29 |
| 申请日期 | 2013-07-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61865]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 硴塚 孝明,武田 浩司,佐藤 具就,等. 光記憶装置. JP2015018589A. 2015-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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