ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
文献类型：专利
| 作者 | 住友 隆道; 高木 慎平 |
| 发表日期 | 2015-08-20 |
| 专利号 | JP2015149312A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
| 英文摘要 | 【課題】III族窒化物半導体レーザ素子のｃ軸及びｍ軸に係るｃ−ｍ面とIII族窒化物半導体レーザ素子の基板主面の法線軸に直交する平面との交差線に直交する基準面と活性層の端面との成す角度がｃ−ｍ面における角度成分において小さくできる、III族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。【解決手段】押圧によりレーザバー５ｄ及び別の基板生産物５１を形成する際に、基板生産物５を支持するように基板生産物５を支持台の第１支持面Ｈ１及び第２支持面Ｈ２上に配置すると共に、第１基準面Ｒ１に直交する直交面に対して角度ＴＨＥＴＡで傾斜した第２基準面Ｒ２に沿ってブレード５ｇが基板生産物５に対して移動可能なようにブレード５ｇ及び基板生産物５を配置する。角度ＴＨＥＴＡが５度以上１０度以下の範囲にあるとき、レーザ共振器を構成する第１端面はｃ−ｍ面内において規定される角度に関して優れた垂直性を示す。【選択図】図３ |
| 公开日期 | 2015-08-20 |
| 申请日期 | 2014-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61902]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 住友 隆道,高木 慎平. ＩＩＩ族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法. JP2015149312A. 2015-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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