電磁照射によって基板から構造を分離するための、処理、スタック、およびアセンブリ
文献类型：专利
| 作者 | ヤン シンキン; ジャン-マルク ベソー; オレグ コノンチュク |
| 发表日期 | 2016-10-20 |
| 专利号 | JP2016533034A |
| 著作权人 | ソイテック |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 電磁照射によって基板から構造を分離するための、処理、スタック、およびアセンブリ |
| 英文摘要 | 本処理は、基板(2)を提供するステップと、b)基板(2)上に分離層(3)を形成するステップと、c)分離層(3)上に分離される構造(1)を形成するステップと、 d)吸収から生じる熱の影響下で分離層(3)が壊れるように、基板(2)を介して電磁照射(IE)に分離層(3)を曝露するステップとを具え、該処理は、分離層(3)上に透明な熱バリア層(4)を形成するステップb1)であって、曝露期間と、熱バリア層(4)の厚さとは、曝露期間中、その閾値を超えると構造(1)において欠陥が出現しがちになる閾値よりも、分離される構造(1)の温度が低くあり続けるように適合させられる、ステップb1)を含む。 |
| 公开日期 | 2016-10-20 |
| 申请日期 | 2014-08-05 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61946]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソイテック |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ヤン シンキン,ジャン-マルク ベソー,オレグ コノンチュク. 電磁照射によって基板から構造を分離するための、処理、スタック、およびアセンブリ. JP2016533034A. 2016-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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