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熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法

文献类型:专利

作者川上 俊之; 有吉 章
发表日期2017-03-09
专利号JPWO2015056489A1
著作权人シャープ株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法
英文摘要半導体から成る基板41と、基板41を下地としてエピタキシャル成長により第1導電型半導体層43と活性層44と第2導電型半導体層45とを順に積層した半導体積層膜42を有するとともにストライプ状の光導波路46を活性層44により形成する発光部52と、発光部52に隣接して半導体積層膜42により形成されるとともに基板41または第1導電型半導体層43を底面とする凹部51を囲む環状の保護壁53と、凹部51の底面上に配される第1電極47と、発光部の上面に配される第2電極48とを備えた。
公开日期2017-03-09
申请日期2014-09-02
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61951]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
川上 俊之,有吉 章. 熱アシスト磁気記録ヘッド、半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法. JPWO2015056489A1. 2017-03-09.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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