半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置
文献类型:专利
作者 | 佐藤 俊一; 本村 寛; 軸谷 直人; 菅原 悟 |
发表日期 | 2015-02-05 |
专利号 | JP2015026845A |
著作权人 | 株式会社リコー |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置 |
英文摘要 | 【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。 【解決手段】 下部半導体DBRは、熱伝導率の大きい低屈折率層103aとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層103bをペアとし、30.5ペアを含む第1の下部半導体DBR1031と、5ペアを含む第2の下部半導体DBR1032と、1ペアを含む第3の下部半導体DBR1033とを有している。第2の下部半導体DBR1032では、低屈折率層103aは3λ/4の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層103bは、λ/4の光学厚さとなるように設定されている。第3の下部半導体DBR1033は、共振器構造体と第2の下部半導体DBR1032との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ/4の光学厚さとなるように設定されている。 【選択図】図4 |
公开日期 | 2015-02-05 |
申请日期 | 2014-09-05 |
状态 | 授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61953] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社リコー |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 俊一,本村 寛,軸谷 直人,等. 半導体発光素子、光走査装置及び画像形成装置. JP2015026845A. 2015-02-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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