半導体発光素子の高周波応答特性測定装置
文献类型：专利
| 作者 | 村田 茂 |
| 发表日期 | 1993-12-27 |
| 专利号 | JP1993347346A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 簡便で、広帯域の、半導体発光素子の高周波応答特性測定装置を提供する。 【構成】 互いに発振周波数のわずかに異なる2つのポンプレーザ20,30と、ポンプレーザ20,30の光を同時に被測定半導体発光素子10に注入するための偏光制御器90及びファイバ結合器120と、被測定半導体発光素子20,30から出射される被測定光を受光する高速受光器40と、高速受光器40から発生するマイクロ波信号のパワーを測定するマイクロ波パワーセンサー60及びマイクロ波パワーメーター70と、ポンプレーザ30の発振周波数を可変にする温度制御器80と、温度制御器80の温度をX軸としマイクロ波パワーメーター70の出力をY軸として記録するXYレコーダー130とを備えてなる。測定系の安定化のために光アイソレータ100,110が設けてある。 |
| 公开日期 | 1993-12-27 |
| 申请日期 | 1992-06-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62630]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村田 茂. 半導体発光素子の高周波応答特性測定装置. JP1993347346A. 1993-12-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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