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半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置

文献类型:专利

作者赤木 俊哉; 宮端 佳之
发表日期2000-10-20
专利号JP2000294871A
著作权人松下電器産業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置
英文摘要【課題】 温度変化あるいは寿命劣化による半導体レーザの特性変化があった場合でも、半導体レーザの出射パワーを所望の値に精度よく安定化させることを可能にする。 【解決手段】 半導体レーザ1の特性を半導体レーザ特性検出手段7により測定し、その結果から求めた閾値電流と微分量子効率に基づいて目標値3を目標値補正手段4によって補正する。パワー制御手段5は、補正された目標値をパワー検出手段2の出力と比較することにより半導体レーザ1を制御し、温度あるいは寿命劣化により半導体レーザ1の閾値電流あるいは微分量子効率が変化しても、所望の半導体レーザ1の出射パワーを高い精度で得ることを可能にする。
公开日期2000-10-20
申请日期1999-04-09
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62656]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下電器産業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
赤木 俊哉,宮端 佳之. 半導体レーザ制御方法および半導体レーザ制御装置. JP2000294871A. 2000-10-20.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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