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半導体レーザ素子の検査方法とその装置

文献类型:专利

作者井川 克彦
发表日期2007-08-23
专利号JP2007214197A
著作权人DAITRON TECHNOLOGY CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子の検査方法とその装置
英文摘要【課題】高速短パルス駆動においても光出力値を正確に測定できる半導体レーザの電流-光出力特性の経時変化を検査する方法とその装置を提供する。 【解決手段】パルス電流により駆動される半導体レーザ素子1の電流-光出力特性の経時変化を検査する半導体レーザの検査装置10において、半導体レーザ素子1にパルス電流を出力する駆動回路20が、所定時刻からボトム時刻Tbまでパルス電流をボトムレベルに設定して、ボトム時刻Tb前の所定時間の間、前記半導体レーザ素子1よりボトムレベルのパルス光を放射させることを特徴とする。 【選択図】図2
公开日期2007-08-23
申请日期2006-02-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62686]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位DAITRON TECHNOLOGY CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
井川 克彦. 半導体レーザ素子の検査方法とその装置. JP2007214197A. 2007-08-23.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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