半導体レーザ生産物の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 市川 弘之 |
| 发表日期 | 2008-01-17 |
| 专利号 | JP2008010642A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ生産物の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】非破壊試験により半導体レーザのESD耐性を検査することができる工程を含む半導体レーザ生産物の製造方法を提供する。 【解決手段】まず、DFBレーザLDを製造する(工程S101)。DFBレーザLDは、端面E1及び端面E2を有する半導体レーザチップCPと、端面E1上に設けられた高反射膜C1と、端面E2上に設けられた低反射膜C2とを備える。次に、DFBレーザLDに電流を供給することによって高反射膜C1から出射されるレーザ光L2のパワーP1〜Pkを測定する(工程S107)。その後、スロープ効率E1〜Ekを算出する(工程S108)。続いて、スロープ効率E1〜Ekに基づいてDFBレーザLDを選別する(工程S109)。工程S109では、スロープ効率E1〜Ekが所定の閾値Eth以下の場合にDFBレーザLDが良品であると判断して、半導体レーザ生産物を得る。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2008-01-17 |
| 申请日期 | 2006-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62687]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市川 弘之. 半導体レーザ生産物の製造方法. JP2008010642A. 2008-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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