半導体レーザ素子の特性測定装置および方法
文献类型:专利
| 作者 | 伊藤 嘉之; 小野 高志 |
| 发表日期 | 2008-08-07 |
| 专利号 | JP2008182046A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の特性測定装置および方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の特性を高速に測定することができる半導体レーザ素子の特性測定装置および方法を提供する。 【解決手段】 ADCa181およびADCb182は、測定タイミング信号に同期して、差動増幅器c176が出力する電流信号をアナログデジタル変換する。ADCa181およびADCb182によって変換された電流情報は、それぞれメモリa111およびメモリb112に記憶される。電流比較器191は、比較タイミング信号に同期して、メモリa111およびメモリb112に記憶される電流情報が示す電流の測定値とメモリj194に記憶される電流の限界値とを交互に比較する。CPUa10は、比較部19から受け取った比較結果が、測定値が限界値を超えていることを示していると、測定を停止し、記憶部a11に記憶される電流情報、電圧情報、および光パワー情報を通信部21によって他の装置に送信する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-07 |
| 申请日期 | 2007-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62690] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 嘉之,小野 高志. 半導体レーザ素子の特性測定装置および方法. JP2008182046A. 2008-08-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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