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半導体レーザ素子の特性測定装置および方法

文献类型:专利

作者伊藤 嘉之; 小野 高志
发表日期2008-08-07
专利号JP2008182046A
著作权人SHARP CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子の特性測定装置および方法
英文摘要【課題】 半導体レーザ素子の特性を高速に測定することができる半導体レーザ素子の特性測定装置および方法を提供する。 【解決手段】 ADCa181およびADCb182は、測定タイミング信号に同期して、差動増幅器c176が出力する電流信号をアナログデジタル変換する。ADCa181およびADCb182によって変換された電流情報は、それぞれメモリa111およびメモリb112に記憶される。電流比較器191は、比較タイミング信号に同期して、メモリa111およびメモリb112に記憶される電流情報が示す電流の測定値とメモリj194に記憶される電流の限界値とを交互に比較する。CPUa10は、比較部19から受け取った比較結果が、測定値が限界値を超えていることを示していると、測定を停止し、記憶部a11に記憶される電流情報、電圧情報、および光パワー情報を通信部21によって他の装置に送信する。 【選択図】図1
公开日期2008-08-07
申请日期2007-01-24
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62690]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SHARP CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
伊藤 嘉之,小野 高志. 半導体レーザ素子の特性測定装置および方法. JP2008182046A. 2008-08-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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