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GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法

文献类型:专利

作者梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
发表日期2008-07-02
专利号CN101212125A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
英文摘要一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤1:将激光器管芯的引线焊接在样品架上;步骤2:调整样品架,使光垂直于激光器管芯腔面入射;步骤3:将样品架的引线接入光电流测量系统的电路,并确定激光器管芯处于反偏0V状态;步骤4:测量激光器管芯的光电流曲线;步骤5:调节外接电源的输出电压,使管芯的外接偏置电压按步长L增加;步骤6:检测信噪比,若发现信噪比明显变差,则停止测量,若没有则重复步骤4。
公开日期2008-07-02
申请日期2006-12-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/62719]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
梁凌燕,叶小玲,徐波,等. GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法. CN101212125A. 2008-07-02.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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