Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element
文献类型：专利
| 作者 | KAWAMURA YUICHI; WAKITA KOICHI; ASAHI HAJIME; KURUMADA KATSUHIKO; OE KUNISHIGE |
| 发表日期 | 1988-11-29 |
| 专利号 | JP1988292683A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To implement various functions such as bistable operation with respect to a light emitting output or the intensity of transmitted light, by providing laminated bodies of barrier layers, whose thickness has a specified value, and InwGa1-wAs layers. CONSTITUTION:An InyGazAl1-y-zAs barrier layer 3 (0.2 |
| 公开日期 | 1988-11-29 |
| 申请日期 | 1987-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63084]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAWAMURA YUICHI,WAKITA KOICHI,ASAHI HAJIME,et al. Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element. JP1988292683A. 1988-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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