半导体激光器模块及其制造方法和光放大器
文献类型：专利
| 作者 | 木村俊雄; 中江将士; 清水健男; 築地直树; 吉田顺自; 舟桥政树; 爱清武; 山本敏郎; 虎谷智明; 松浦宽 |
| 发表日期 | 2002-08-28 |
| 专利号 | CN1366368A |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器模块,具有:具有隔开间隔形成的第1带区9和第2带区10,从第1带区9和第2带区10分别出射第1激光K1和第2激光K2的半导体激光器2;入射从半导体激光器2出射的第1激光K1和第2激光K2,在不同焦点使第1激光K1和第2激光K2聚光的第1透镜4;使第1激光K1的偏振面旋转90度的半波长板6;对入射的第1激光K1和第2激光K2进行合波出射的偏振波合成构件部7;以及接收从偏振波合成构件7出射的激光送出外部的光纤8。 |
| 公开日期 | 2002-08-28 |
| 申请日期 | 2001-12-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63266]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村俊雄,中江将士,清水健男,等. 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器. CN1366368A. 2002-08-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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