面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉川 昌宏 |
| 发表日期 | 2010-08-26 |
| 专利号 | JP2010186899A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】複数の選択酸化層の酸化を個々に制御可能な面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】VCSELは、基板上に、n型の下部DBR106、活性領域、p型の上部DBR110を含み、下部DBR106内にn型のAlAsからなる第1の選択酸化層106Aが形成され、上部DBR110内にp型のAlAsからなる第2の選択酸化層110Aが形成されている。第1の選択酸化層106Aに隣接する第1の酸化レート調整層106B(AlGaAs)のAl組成は、第2の選択酸化層110Aが隣接する第2の酸化レート調整層110BのAl組成よりも大きく、その結果、第1の選択酸化層106Aの酸化アパーチャーの径が第2の選択酸化層110Aの酸化アパーチャーの径よりも小さい。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2010-08-26 |
| 申请日期 | 2009-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63290]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 昌宏. 面発光型半導体レーザ、光半導体装置、光送信装置、光空間伝送装置、光送信システム、光空間伝送システムおよび面発光型半導体レーザの製造方法. JP2010186899A. 2010-08-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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