具有台面和改进的电流输送的AlGaInN半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | A.S.阿夫拉梅斯库; G.布吕德尔; C.艾希勒; S.格哈德; T.武尔姆; U.施特劳斯 |
| 发表日期 | 2015-07-15 |
| 专利号 | CN104782005A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有台面和改进的电流输送的AlGaInN半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法和具有层结构的半导体激光器（1），所述层结构具有带有至少如下的层顺序的相叠加布置的层：a. n掺杂的覆盖层（10），b. 第三波导层（11），c. 有源区（6），在所述有源区中布置产生光的结构，d. 第二波导层（13），e. 阻挡层（14），f. 第一波导层（15），g. p掺杂的覆盖层（16），其中第一、第二和第三波导层（15，13，11）至少具有AlxInyGa（1-x-y）N，其中x能够为0和1之间的值，其中y能够为0和1之间的值，其中x和y的和能够为0和1之间的值，其中阻挡层（14）具有比相邻的第一波导层（15）的Al含量大至少2%的Al含量，其中阻挡层（14）具有从第一波导层（15）沿朝第二波导层（13）的方向上的Al含量的增加，其中层结构具有两侧的阶梯部（9），其中两侧的阶梯部（9）布置在阻挡层（14）的高度上，使得阻挡层（14）的至少一部分或者整个阻挡层（14）具有比第一波导层（15）更大的宽度。此外，本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法。 |
| 公开日期 | 2015-07-15 |
| 申请日期 | 2013-09-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63305]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A.S.阿夫拉梅斯库,G.布吕德尔,C.艾希勒,等. 具有台面和改进的电流输送的AlGaInN半导体激光器. CN104782005A. 2015-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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