基于电反馈的改进型相位调制外差技术压窄半导体激光器线宽的方法
文献类型：专利
| 作者 | 袁其平; 吴丽娜; 童峥嵘; 曹晔 |
| 发表日期 | 2013-10-09 |
| 专利号 | CN103346473A |
| 著作权人 | 天津理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于电反馈的改进型相位调制外差技术压窄半导体激光器线宽的方法 |
| 英文摘要 | 一种基于电反馈的改进型相位调制外差技术压窄半导体激光器线宽的方法。该线宽压窄的方法为：激光器的输出信号经声光调制器后连接到移频MZ干涉仪，将激光的频率噪声转变成相位噪声，并由频偏可控的射频信号进行相干解调，然后经放大、滤波得到频率修正信号，一部分进入激光器的驱动电流，另一部分连接到光电探测器后声光调制器的电输入端，修正激光器的频率、降低相位噪声，从而实现压窄线宽的目的。本发明的优点：装置简单，容易实现，无需高精细度的FP腔；压窄线宽的同时实现频率的可调谐；为相干光通信、高分辨率光谱仪提供优质光源；对激光器的频率没有要求，因此能够实现对各种波段激光器线宽的压窄。 |
| 公开日期 | 2013-10-09 |
| 申请日期 | 2013-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63346]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 天津理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁其平,吴丽娜,童峥嵘,等. 基于电反馈的改进型相位调制外差技术压窄半导体激光器线宽的方法. CN103346473A. 2013-10-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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