半导体激光二极管发光单元及器件
文献类型：专利
| 作者 | 郑凯; 王俊; 熊聪; 马骁宇 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利号 | CN102130423A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光二极管发光单元及器件 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2011-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63349]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑凯,王俊,熊聪,等. 半导体激光二极管发光单元及器件. CN102130423A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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