化合物半導体発光素子とその製造方法および化合物半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 治彦 |
| 发表日期 | 2003-01-17 |
| 专利号 | JP2003017806A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子とその製造方法および化合物半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】化合物半導体発光素子における電極下領域の活性層への電流注入をブロックして効率良く活性層への電流注入を行うことが可能になり、VCSEL やRCLEDおよびLED の発光特性を改善し、均一性の良い発光パターンを持たせる。 【解決手段】半導体活性層4の両面を挟むクラッド層3,5の両面を挟んで形成された第1および第2の分布ブラッグ反射器(DBR) 2,6と、第2のDBR において発光領域の外周を囲むように形成された第1の半絶縁領域8と、第2のDBR における発光領域外周部上の表面に形成され、発光領域に電流を注入するための電極10がコンタクトする電極コンタクト層7と、電極コンタクト層の下部の少なくとも一部の領域に形成された第2の半絶縁領域11とを具備し、垂直共振器型面発光レーザダイオードあるいは共鳴共振器型発光ダイオードを構成することを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2003-01-17 |
| 申请日期 | 2001-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 治彦. 化合物半導体発光素子とその製造方法および化合物半導体発光装置. JP2003017806A. 2003-01-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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