一种微激光二极管阵列的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐春祥; 朱刚毅; 戴俊; 石增良; 林毅; 理记涛; 田正山 |
| 发表日期 | 2012-07-04 |
| 专利号 | CN102545060A |
| 著作权人 | 东南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种微激光二极管阵列的制备方法 |
| 英文摘要 | 一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2012-01-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63377]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐春祥,朱刚毅,戴俊,等. 一种微激光二极管阵列的制备方法. CN102545060A. 2012-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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