激光二极管器件
文献类型：专利
| 作者 | 大木智之; 渡边秀辉; 幸田伦太郎; 仓本大; 横山弘之 |
| 发表日期 | 2012-07-04 |
| 专利号 | CN102545036A |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 激光二极管器件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括层压结构、第二电极和第一电极，在所述层压结构中，第一化合物半导体层、具有发光区和可饱和吸收区的第三化合物半导体层、以及第二化合物半导体层顺次层叠。所述层压结构具有脊条结构。所述第二电极被隔离槽分隔为第一部分和第二部分，所述第一部分用于经由所述发光区将直流电流施加至所述第一电极来获得正向偏压状态，所述第二部分用于将电场加至所述可饱和吸收区。当脊条结构的最小宽度是WMIN，并且在所述第二电极的第二部分和隔离槽之间的界面中的所述第二电极的第二部分的脊条结构的宽度是W2时，满足1＜W2/WMIN。 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2011-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大木智之,渡边秀辉,幸田伦太郎,等. 激光二极管器件. CN102545036A. 2012-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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