布拉格反射波导GaSb基半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 佟存柱; 戎佳敏; 汪丽杰; 邢恩博; 田思聪; 刘云; 王立军 |
| 发表日期 | 2015-03-11 |
| 专利号 | CN104409965A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 布拉格反射波导GaSb基半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下波导层包括多对n型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜；上波导层包括多对p型掺杂的高、低折射率材料层周期交替生长的布拉格反射镜。本发明利用布拉格反射波导限制光场分布，可有效改善传统GaSb基边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧空、电热烧毁和光束成丝等效应，提高激光机的光束质量，有效的降低了垂直发散角，其横向远场发散角半高全宽可达到10°以下。 |
| 公开日期 | 2015-03-11 |
| 申请日期 | 2014-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佟存柱,戎佳敏,汪丽杰,等. 布拉格反射波导GaSb基半导体激光器. CN104409965A. 2015-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。