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半导体激光模块及抑制构件

文献类型:专利

作者村主贤悟; 木村俊雄; 向原智一
发表日期2012-02-22
专利号CN102362401A
著作权人古河电气工业株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光模块及抑制构件
英文摘要本发明提供一种在配置于框体(20)底部的帕尔贴元件(2)的上部层叠膨胀系数不同的两层以上的多个板状构件即基台(4、5),至少在最上层基台(5)的一部分区域还设置具有与该最上层基台(5)不同的膨胀系数的抑制构件(22),在基台(5)及/或抑制构件(22)上配置有光学元件。由此,即使是帕尔贴元件(2)发生翘曲的情况,也能够通过基台(4)、基台(5)及抑制构件(22)的复合板结构抑制翘曲的发生,因此,基台(4)及抑制构件(22)难以发生翘曲,且束分离器(8)和校准器(9)之间难以发生光轴错位。
公开日期2012-02-22
申请日期2009-09-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63392]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河电气工业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
村主贤悟,木村俊雄,向原智一. 半导体激光模块及抑制构件. CN102362401A. 2012-02-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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