一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 单智发 |
| 发表日期 | 2017-12-05 |
| 专利号 | CN107437723A |
| 著作权人 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次沉积有GaAs 缓冲层、N型DBR层、有源层、氧化限制层、P型DBR层和欧姆接触层，所述 N型DBR层由AlGaAs/GaAs系DBR 层与(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层两部分组成，所述(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层靠近所述有源层。该VCSEL阵列激光器的外延结构在N型DBR层上增加了(Al)GaAs/(Al)GaInP系DBR层，在进行台面刻蚀时，可刻蚀到(Al)GaInP层后准确截止，能保证VCSEL阵列上所有的单颗VCSEL激光器台面高度一致，从而保证VCSEL阵列激光器输出特性一致，量产良率高，且可满足应用端对VCSEL阵列设计的要求。 |
| 公开日期 | 2017-12-05 |
| 申请日期 | 2017-09-21 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63404]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州全磊光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单智发. 一种用于VCSEL阵列激光器的外延结构及其制备方法. CN107437723A. 2017-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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