用于后续高温第三族沉积的基材预处理
文献类型：专利
| 作者 | Y・梅尔尼克; O・克利里欧科; H・科吉里; 石川哲也 |
| 发表日期 | 2012-05-09 |
| 专利号 | CN102449743A |
| 著作权人 | 应用材料公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于后续高温第三族沉积的基材预处理 |
| 英文摘要 | 本发明的实施例涉及制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)的器件的基材预处理设备与方法。本发明的一个实施例包括通过将含氧化铝基材的表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材，其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。 |
| 公开日期 | 2012-05-09 |
| 申请日期 | 2010-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63425]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 应用材料公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Y・梅尔尼克,O・克利里欧科,H・科吉里,等. 用于后续高温第三族沉积的基材预处理. CN102449743A. 2012-05-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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