一种异质结半导体激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 雷双瑛; 沈海云; 黄兰 |
| 发表日期 | 2016-10-12 |
| 专利号 | CN106025798A |
| 著作权人 | 东南大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种异质结半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层Aδ堆垛黑磷烯和三层Aδδ堆垛黑磷烯通过横向连接可构成I型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)和上电极(6)。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层Aδ堆垛黑磷烯和三层Aδδ堆垛黑磷烯进行横向连接形成异质结。本文通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层黑磷烯。 |
| 公开日期 | 2016-10-12 |
| 申请日期 | 2016-07-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63436]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 东南大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷双瑛,沈海云,黄兰. 一种异质结半导体激光器及其制备方法. CN106025798A. 2016-10-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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