低成本DFB激光器制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘文 ; 王定理; 周宁; 孙飞; 黄德修
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| 发表日期 | 2007-07-18 |
| 专利号 | CN101001001A |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 低成本DFB激光器制作方法 |
| 英文摘要 | 一种低成本DFB激光器制作方法，该半导体激光器由在InP基底上依次生长上的下包层、下波导层、有源层、上波导层以及上包层和电极接触层组成，在基底和电极接触层上分别有金属电极，在上波导层或者下波导层上存在DFB光栅结构，其特征在于：所述DFB光栅结构采用纳米压印技术制作。可以是具有任意相移结构的光栅，或者是具有任意取样结构的光栅。本方法可制作具有均匀周期光栅结构的激光器芯片，还可在同一外延片上制作出不同波长的DFB激光器芯片系列，或者在同一芯片上制作出多波长的DFB激光器阵列。具有制作成本低，生产效率高以及光栅分辨率高的特点。 |
| 公开日期 | 2007-07-18 |
| 申请日期 | 2006-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63451]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘文,王定理,周宁,等. 低成本DFB激光器制作方法. CN101001001A. 2007-07-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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