具有垂直发射方向的表面发射半导体激光器件
文献类型：专利
| 作者 | B・迈尔; A・科勒; J・普法伊费尔 |
| 发表日期 | 2011-09-28 |
| 专利号 | CN102204039A |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 具有垂直发射方向的表面发射半导体激光器件 |
| 英文摘要 | 说明了一种具有垂直的发射方向的表面发射半导体激光器件，该表面发射半导体激光器件包括半导体本体，该半导体本体具有第一谐振器镜（2）、第二谐振器镜（4）以及适用于生成辐射的活性区（3）。第一谐振器镜（2）具有交替堆叠的第一成分的第一层（2a）和第二成分的第二层（2b）。第一层（2a）具有氧化区域（8a）。另外，至少第一层（2a）分别包含掺杂物质，其中第一层（2a）的至少一层（21a）具有与其他第一层（2a）的掺杂物质浓度不同的掺杂物质浓度。 |
| 公开日期 | 2011-09-28 |
| 申请日期 | 2009-08-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | B・迈尔,A・科勒,J・普法伊费尔. 具有垂直发射方向的表面发射半导体激光器件. CN102204039A. 2011-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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