制作垂直导通型氮化物光电组件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈乃权; 张本秀; 施权峰; 邱安平; 邓顺达 |
| 发表日期 | 2006-01-11 |
| 专利号 | CN1719629A |
| 著作权人 | 洲磊科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制作垂直导通型氮化物光电组件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种制作垂直导通氮化物光电组件的方法，该方法为借助金属欧姆接触将氮化物半导体与导电性基板连接。利用此一方法不但可以降低组件与基板之间的串联电阻、降低操作电压，增加组件的寿命，且同时可以提高组件横向传导的效率等等。此法可应用在发光二极管、激光二极管、光检测器等半导体组件中。 |
| 公开日期 | 2006-01-11 |
| 申请日期 | 2004-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 洲磊科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈乃权,张本秀,施权峰,等. 制作垂直导通型氮化物光电组件的方法. CN1719629A. 2006-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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