用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 贝恩哈德·施托耶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 克里斯托夫·艾克勒 |
| 发表日期 | 2015-06-03 |
| 专利号 | CN104685734A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在制成的半导体激光二极管中产生的激光(30)的光放射区域(6)的主放射面；-在正面小面(5)的第二部分(52)上构成耦合输出覆层(9)，其中第一部分(51)和第二部分(52)在平行于所述正面小面(5)的方向上并且沿着半导体层序列(2)的生长方向至少部分地彼此并排地设置，使得所述第一部分(51)至少部分地没有耦合输出覆层(9)并且第二部分(52)至少部分地没有光阻挡层(8)，并且其中第二部分(52)具有光出射区域(6)；-在正面小面(5)的第一部分(51)上构成光阻挡层(8)。此外提出一种半导体激光二极管。 |
| 公开日期 | 2015-06-03 |
| 申请日期 | 2013-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贝恩哈德·施托耶茨,艾尔弗雷德·莱尔,克里斯托夫·艾克勒. 用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管. CN104685734A. 2015-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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