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垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法

文献类型:专利

作者近藤崇; 村上朱实; 城岸直辉; 早川纯一朗; 樱井淳
发表日期2017-03-15
专利号CN106505410A
著作权人富士施乐株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法
英文摘要本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法,该垂直腔面发射激光器阵列包括:形成在基板上的接触层;形成在所述接触层上的台面结构,每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜;形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层,所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘;形成在所述第一金属层上的绝缘膜;以及形成在绝缘膜上的第二金属层,所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
公开日期2017-03-15
申请日期2016-08-31
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63478]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士施乐株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
近藤崇,村上朱实,城岸直辉,等. 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法. CN106505410A. 2017-03-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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