垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 近藤崇; 村上朱实; 城岸直辉; 早川纯一朗; 樱井淳 |
| 发表日期 | 2017-03-15 |
| 专利号 | CN106505410A |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。 |
| 公开日期 | 2017-03-15 |
| 申请日期 | 2016-08-31 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤崇,村上朱实,城岸直辉,等. 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法. CN106505410A. 2017-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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