垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 近藤崇; 村上朱实; 城岸直辉; 早川纯一朗; 樱井淳 |
发表日期 | 2017-03-15 |
专利号 | CN106505410A |
著作权人 | 富士施乐株式会社 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法,该垂直腔面发射激光器阵列包括:形成在基板上的接触层;形成在所述接触层上的台面结构,每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜;形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层,所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘;形成在所述第一金属层上的绝缘膜;以及形成在绝缘膜上的第二金属层,所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。 |
公开日期 | 2017-03-15 |
申请日期 | 2016-08-31 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63478] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 富士施乐株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤崇,村上朱实,城岸直辉,等. 垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法. CN106505410A. 2017-03-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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