半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具
文献类型：专利
| 作者 | 大岛升 |
| 发表日期 | 2004-07-14 |
| 专利号 | CN1512638A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器件包括其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底、分别设置在衬底的相对表面上的一对电极、在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面、和覆盖发光表面的保护膜。该保护膜在电极边缘上的厚度小于在有源层上的厚度。这种布置可以抑制电极材料在保护膜中的扩散和充分地保护了发光表面。 |
| 公开日期 | 2004-07-14 |
| 申请日期 | 2003-12-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63485]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大岛升. 半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具. CN1512638A. 2004-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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