氮化物基激光二极管和制造氮化物基激光二极管的方法
文献类型：专利
| 作者 | C·斯基尔比谢夫斯基; S·波罗夫斯基; I·格热戈日; P·佩尔林; M·莱什琴斯基; M·西卡什; A·费杜内维什-日穆达; P·维希涅夫斯基; T·舒什; M·博科夫斯基 |
| 发表日期 | 2007-09-12 |
| 专利号 | CN101036272A |
| 著作权人 | 波兰科学院高压物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物基激光二极管和制造氮化物基激光二极管的方法 |
| 英文摘要 | 包含结晶衬底(1)的激光二极管，其中沉积随后的n－型层的组、光学活性层(5)的组和p－型层的组。n－型层的组至少包含缓冲层(2)、底部n－型覆盖层(3)和n－型底部波导层。p－型层的组至少包含含有电子阻挡层的p－型上部波导、上部p－型覆盖层(7)和p－型接触层(8)。所述电子阻挡层包含掺杂有镁的Inx，AlyGa1－x－y，N合金，其中1≥x＞0,001 a 1≥y≥0。制造本发明的方法是基于随后的n－型层(2，3，4)的组、光学活性层(5)的组和p－型层(6，7，8)的组的外延沉积，其中p－型波导层(6)和p－型接触层(7)在铟存在下以等离子体辅助的分子束外延方法沉积。 |
| 公开日期 | 2007-09-12 |
| 申请日期 | 2005-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63511]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 波兰科学院高压物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | C·斯基尔比谢夫斯基,S·波罗夫斯基,I·格热戈日,等. 氮化物基激光二极管和制造氮化物基激光二极管的方法. CN101036272A. 2007-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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