制造III族氮化物半导体激光器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 高木慎平 |
| 发表日期 | 2014-05-28 |
| 专利号 | CN103828148A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造III族氮化物半导体激光器件的方法 |
| 英文摘要 | 一种制造具有半极性面的III族氮化物半导体激光器件的方法，其可以稳定地提供能降低激光阈值电流的激光谐振腔反射镜。在刀片（5g）的行进方向（PR）与支撑板（H）的正面（Ha）正交的状态下，支撑板（H）在c-m面上从m轴朝向由行进方向（PR）和a轴定义的参考面（Ab）以角度（THETA）倾斜，并且此外，定位刀片（5g），使得与包括了在多个刻划标记（5b）之中的最末端刻划标记（5b1）和衬底产品（5）的正面（5a）之间的交叉部（P1）并沿方向（PR）延伸的面重叠。在角度（ALPHA）的定义范围是从71至79度或从101至109度的情况下，角度（THETA）的范围为从11至19度，并且因此沿行进方向（PR）延伸的参考面（Ab）沿与c轴正交的c面延伸。 |
| 公开日期 | 2014-05-28 |
| 申请日期 | 2012-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63523]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木慎平. 制造III族氮化物半导体激光器件的方法. CN103828148A. 2014-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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