形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔
文献类型：专利
| 作者 | A·A·贝法; W·兰斯 |
| 发表日期 | 2009-10-07 |
| 专利号 | CN101553962A |
| 著作权人 | 镁可微波技术有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔 |
| 英文摘要 | 一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为lc、宽度为bm的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为w的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ls和宽度bs可以被选择为等于或长于波导长度lc和台面宽度bm的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度D，产率大于50％。 |
| 公开日期 | 2009-10-07 |
| 申请日期 | 2006-08-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63560]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 镁可微波技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·A·贝法,W·兰斯. 形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔. CN101553962A. 2009-10-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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