基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 汪丽杰; 佟存柱; 田思聪; 舒世立; 吴昊; 戎佳敏; 王立军 |
| 发表日期 | 2016-06-15 |
| 专利号 | CN105680319A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器 |
| 英文摘要 | 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、P型盖层和P面电极；N型波导、有源区和P型波导组成激光器的波导层，波导层的折射率大于N型包层和P型包层的折射率，其特征是，在该半导体激光器台面上刻有多个微孔，所述多个微孔设置在两边相应于高阶侧模光场分布的波峰处，微孔的数量从中心到边缘递增；微孔深度从P面电极的表面至P型包层，且微孔的底部与P型包层下表面距离小于激光器波导层的倏逝波长度。 |
| 公开日期 | 2016-06-15 |
| 申请日期 | 2016-03-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63577]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪丽杰,佟存柱,田思聪,等. 基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器. CN105680319A. 2016-06-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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