面发光型半导体激光元件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 早川纯一朗; 村上朱实; 近藤崇; 城岸直辉; 樱井淳 |
| 发表日期 | 2017-03-22 |
| 专利号 | CN106532432A |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面发光型半导体激光元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种制造面发光型半导体激光元件的方法，该方法包括：第一工序：在衬底上形成半导体层，该半导体层包括第一导电类型的第一半导体多层反射镜、第一半导体多层反射镜上的粗糙表面形成层、粗糙表面形成层上的有源区、有源区上的第二导电类型的第二半导体多层反射镜、以及与有源区相邻的电流限制层；第二工序：蚀刻半导体层直至粗糙表面形成层被露出，从而形成半导体层的平台结构；第三工序：对包括电流限制层和暴露于所述平台结构的周围的粗糙表面形成层的区域进行氧化；第四工序：对包括氧化的粗糙表面形成层的区域进行酸处理，从而形成粗糙表面区；和第五工序：在包括粗糙表面区的区域上形成绝缘膜。 |
| 公开日期 | 2017-03-22 |
| 申请日期 | 2016-08-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川纯一朗,村上朱实,近藤崇,等. 面发光型半导体激光元件的制造方法. CN106532432A. 2017-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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